DMMT5551-7 全国供应商、价格、PDF资料
DMMT5551-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS MATCHED NPN 300MW SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-26
- 包装:带卷 (TR)
DMMT5551-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS MATCHED NPN 300MW SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-26
- 包装:带卷 (TR)
DMMT5551-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS MATCHED NPN 300MW SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-26
- 包装:剪切带 (CT)
DMMT5551-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS NPN BIPOLAR 300MW SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-26
- 包装:Digi-Reel®
DMMT5551-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS NPN BIPOLAR 300MW SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-26
- 包装:剪切带 (CT)
DMMT5551-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列
- 描述:TRANS NPN BIPOLAR 300MW SOT26
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 NPN(双)配对
- 电流_集电极333Ic444(最大):200mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):160V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):200mV @ 5mA,50mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:80 @ 10mA,5V
- 功率_最大:300mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-23-6
- 供应商设备封装:SOT-26
- 包装:带卷 (TR)
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 28-VQFN 裸露焊盘 IC DSC 16BIT 128KB FLASH 28QFNS
- 连接器,互连器件 LEMO 1913(4833 公制) RECPT W.NUT CDJ20CTS
- 晶体管(BJT) - 阵列 Diodes Inc SOT-23-6 TRANS NPN BIPOLAR 300MW SOT26
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MON BATT LI-ION HP 16-TSSOP
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries 6-SMD,无引线(DFN,LCC) TERM BARRIER 26CIRC SGL ROW .375
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) CAP FILM 100PF 50VDC 0805
- 配件 Bivar Inc PERM-O-PADS CAP MT EC 25 NYL NAT
- 连接器,互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 5POS JAM NUT W/PINS
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 28-SOIC(0.295",7.50mm 宽) IC DSC 16BIT 128KB FLASH 28SOIC
- PMIC - 电池管理 Maxim Integrated 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC MON BATT LI-ION HP 16-TSSOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 0805(2012 公制) CAP FILM 100PF 50VDC 0805
- 接线座 - 隔板块 Curtis Industries TERM BARRIER 15CIRC SGL ROW .375
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 5POS JAM NUT W/PINS
- 连接器,互连器件 LEMO 1913(4833 公制) RECPT W.NUT CDJ 10CTS