DDA143TU-7 全国供应商、价格、PDF资料
DDA143TU-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,2.5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
DDA143TU-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes/Zetex
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,2.5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
DDA143TU-7详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT-363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,2.5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
DDA143TU-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,2.5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:Digi-Reel®
DDA143TU-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,2.5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:带卷 (TR)
DDA143TU-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
- 描述:TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:2 个 PNP 预偏压式(双)
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):50V
- 电阻器_基极333R1444(欧):4.7k
- 电阻器_发射极333R2444(欧):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 1mA,5V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):300mV @ 250µA,2.5mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 频率_转换:250MHz
- 功率_最大:200mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
- 供应商设备封装:SOT-363
- 包装:剪切带 (CT)
- 配件 Texas Instruments BOARD DAUGHTER FOR LM3S828 KIT
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 21.5K OHM 1/2W 1% AXIAL
- 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 TRANS PREBIASED DUAL PNP SOT363
- AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 100MA P14 POS C
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EXTEND
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER TRIPLE 5.6V SOT-363
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/SKT
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-UFDFN 裸露焊盘 IC EEPROM I2C 16K 400KHZ 8-VSON
- 配件 Texas Instruments BOARD DAUGHTER FOR LM3S828 KIT
- AC DC 桌面、壁式变压器 CUI Inc TRANSF 12VDC 100MA P6 NEG C
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 16POS .156 EYELET
- 二极管/齐纳阵列 Diodes Inc 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 DIODE ZENER TRIPLE 6.2V SOT-363
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 30POS FLANGE W/SKT
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.173",4.40mm 宽) IC EEPROM I2C 256K 400KHZ 8-SOP
- 配件 Texas Instruments BOARD DAUGHTER FOR LM3S828 KIT