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CYD09S36V18-200BBXC详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：9M（256K x 36）; 速度：200MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.42 V ~ 1.58 V，1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-FBGA（17x17）; 包装：托盘

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芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2010（5025 公制） RES 1.5K OHM 3/4W 5% 2010 SMD
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配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPO WAY F INTERFACE
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时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 Cypress Semiconductor Corp 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLOCK GEN PROG UNIV 8-SOIC
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芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 12K OHM 1W 5% 2512 SMD
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芯片电阻 - 表面安装 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 232 OHM 1W 1% 2512 SMD

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