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CYD09S18V18-200BBXC详细规格: 类别：存储器; 描述：IC SRAM 9MBIT 200MHZ 256LFBGA; 系列：-; 制造商：Cypress Semiconductor Corp; 格式_存储器：RAM; 存储器类型：SRAM - 双端口，同步; 存储容量：9M（512K x 18）; 速度：200MHz; 接口：并联; 电压_电源：1.42 V ~ 1.58 V，1.7 V ~ 1.9 V; 工作温度：0°C ~ 70°C; 封装/外壳：256-LBGA; 供应商器件封装：256-FBGA（17x17）; 包装：托盘

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HER102-T
单二极管/整流器 Diodes Inc DO-204AL，DO-41，轴向 RECTIFIER HIGH-EFF 100V 1A DO-41
FX8C-80P-SV(71)
板对板 - 阵列，边缘类型，包厢 Hirose Electric Co Ltd CONN HEADER 80POS .6MM SMD
FS6X1220RJX
PMIC - AC-DC 转换器，离线开关 Fairchild Semiconductor TO-263-7，D²Pak（6 引线+接片），TO-263CB IC SWIT PWM CM OVP UVLO HV D2PAK
GRM155R61C104KA88D
陶瓷 Murata Electronics North America 0402（1005 公制） CAP CER 0.1UF 16V 10% X5R 0402
CYD09S36V18-167BBXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 256-LBGA IC SRAM 9MBIT 167MHZ 256LFBGA
ISL83072EIBZA-T7A
接口 - 驱动器，接收器，收发器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC TXRX RS485/422 SGL ESD 8SOIC

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