CSD86350Q5D 全国供应商、价格、PDF资料

CSD86350Q5D详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8SON

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

FET型：2 个 N 通道（半桥）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，8V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.7nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 12.5V

功率_最大：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）

供应商设备封装：8-SON（5x6）

包装：Digi-Reel®

CSD86350Q5D详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8SON

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

FET型：2 个 N 通道（半桥）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，8V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.7nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 12.5V

功率_最大：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）

供应商设备封装：8-SON（5x6）

包装：剪切带 (CT)

CSD86350Q5D详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N-CH 25V 40A 8SON

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

FET型：2 个 N 通道（半桥）

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：25V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：40A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6 毫欧 @ 20A，8V

Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：10.7nC @ 4.5V

输入电容333Ciss4440a0Vds：1870pF @ 12.5V

功率_最大：13W

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-SOIC（0.236"，6.00mm 宽）

供应商设备封装：8-SON（5x6）

包装：带卷 (TR)

CSD86350Q5DEVM-604详细规格

类别：评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS

描述：EVAL MODULE FOR CSD86350Q5D

系列：NexFET™

制造商：Texas Instruments

主要用途：DC/DC，步降

输出和类型：1，非隔离

功率_输出：-

电压_输出：1.2V

电流_输出：25A

电压_输入：8 V ~ 13 V

稳压器拓扑：降压

频率_开关：290kHz

板类型：完全填充

所含物品：板

使用的IC/零件：CSD86350Q