CSD16408Q5 全国供应商、价格、PDF资料
CSD16408Q5详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 系列：NexFET™
- 制造商：Texas Instruments
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：113A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：Digi-Reel®
CSD16408Q5详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 系列：NexFET™
- 制造商：Texas Instruments
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：113A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：剪切带 (CT)
CSD16408Q5详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 系列：NexFET™
- 制造商：Texas Instruments
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：113A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON
- 包装：带卷 (TR)
CSD16408Q5C详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
- 系列：NexFET™
- 制造商：Texas Instruments
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：113A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（5x6）
- 包装：带卷 (TR)
CSD16408Q5C详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
- 系列：NexFET™
- 制造商：Texas Instruments
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：113A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（5x6）
- 包装：Digi-Reel®
CSD16408Q5C详细规格
- 类别：FET - 单
- 描述：MOSFET N-CH 25V 113A 8SON
- 系列：NexFET™
- 制造商：Texas Instruments
- FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物
- FET特点：标准
- 漏极至源极电压333Vdss444：25V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C：113A
- 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫欧 @ 25A，10V
- Id时的Vgs333th444（最大）：2.1V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 4.5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 12.5V
- 功率_最大：3.1W
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：8-TDFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装：8-SON-EP（5x6）
- 包装：剪切带 (CT)
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK MULT PLL HI DRV 16-SOIC
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- FET - 单 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div PNP CONTROLLER
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS BOX MNT W/PINS
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .02 OHM 2W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 113A 5X6 8SON
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC CLK MULT PLL HI DRV 16-SOIC
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
- 其它 Omron Electronics Inc-IA Div F210 DIGITAL CAMERA
- 连接器，互连器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 6POS BOX MNT W/SCKT
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .04OHM 2W 1% 2512 SMD
- FET - 单 Texas Instruments 8-TDFN 裸露焊盘 MOSFET N-CH 25V 60A 8-SON
- 时钟/计时 - 时钟发生器，PLL，频率合成器 IDT, Integrated Device Technology Inc 16-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC CLK MULT PLL HI DRV 16-TSSOP
- 芯片电阻 - 表面安装 Stackpole Electronics Inc 2512（6432 公制） RES .075 OHM 2W 1% 2512 SMD
0755-88917652 
19166203057 
0755-83240490 
010-62962871、 
0755-82533156 
0755-83242658 
13480301972 
0755-82561519 
0755-23996734 
0755-23919407 
0755-82578309 
0755-89697985 
0755-88291559 
0755-83223003 
0755-83777708 
