CPH6615-TL-E 全国供应商、价格、PDF资料

CPH6615-TL-E详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.8A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 1.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.2nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：187pF @ 10V

功率_最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：6-CPH

包装：带卷 (TR)

CPH6615-TL-E详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.8A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 1.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.2nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：187pF @ 10V

功率_最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：6-CPH

包装：剪切带 (CT)

CPH6615-TL-E详细规格

类别：FET - 阵列

描述：MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6

系列：-

制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation

FET型：N 和 P 沟道

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：30V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：2.5A，1.8A

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：105 毫欧 @ 1.5A，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：-

闸电荷333Qg4440a0Vgs：5.2nC @ 10V

输入电容333Ciss4440a0Vds：187pF @ 10V

功率_最大：900mW

安装类型：表面贴装

封装/外壳：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

供应商设备封装：6-CPH

包装：Digi-Reel®