BZX84B7V5LT1 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84B7V5LT1详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:7.5V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:1µA @ 5V
- 容差:±2%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
BZX84B7V5LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:7.5V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:1µA @ 5V
- 容差:±2%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84B7V5LT1G详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT-23
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:7.5V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:1µA @ 5V
- 容差:±2%
- 功率_最大:225mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
- 包装:带卷 (TR)
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE LBC 10UH 10%
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.047UF 35V 20% X7R 0402
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 7.5V 225MW SOT-23
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 250V
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 200V
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14-SOIC
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 470UF 200V
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor DO-204AL,DO-41,轴向 DIODE ZENER 11V 1W DO-41
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE LBC 22000UH 5%
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Fairchild Semiconductor 14-SOIC(0.209",5.30mm 宽) IC GATE NAND QUAD 2INPUT 14SOP
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 820UF 200V
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 250V
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 560UF 200V
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE LBC 330UH 5%
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1UF 4V 10% X7S 0402