BZX84-C6V2 全国供应商、价格、PDF资料
BZX84-C6V2,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BZX84-C6V2,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BZX84-C6V2,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BZX84-C6V2,215详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BZX84-C6V2,235详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BZX84-C6V2,235详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:6.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:3µA @ 4V
- 容差:±5%
- 功率_最大:250mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:10 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.022UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 200V 5% X7R 1206
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2010(5025 公制) RES 909K OHM 1W 1% 2010
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 6.2V 250MW SOT23
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc DEV KIT FOR C8051F206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.018UF 1KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 16V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 50V 5% X7R 1206
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 10000PF 630VDC RADIAL
- 芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 2010(5025 公制) RES 931K OHM 1W 1% 2010
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.027UF 1KVDC RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 10000PF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 4700PF 630V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.015UF 50V 5% X7R 1206
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc 1206(3216 公制) DEV KIT F220/221/226/230/231/236