BZX79-B8V2 全国供应商、价格、PDF资料
BZX79-B8V2,113详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:700nA @ 5V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:带卷 (TR)
BZX79-B8V2,133详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 8.2V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:700nA @ 5V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:带盒(TB)
BZX79-B8V2,143详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE VREG 8.2V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:8.2V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:700nA @ 5V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:15 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:带盒(TB)
- 线槽,走线系统 - 附件 Panduit Corp 0402(1005 公制) COVER DUCT .5" PVC LGHT GRAY 24"
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 8.2V 500MW DO-35
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 20V 500MW DO-35
- RF 二极管 NXP Semiconductors TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE PIN 50V 100MA SOT-23
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR PNP 80V 1A SOT223
- D-Sub,D 形 - 外壳 TE Connectivity TO-261-4,TO-261AA CONN D-SUB HOUSING RECEPT 15POS
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 18PF 50V NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 820PF 25V 10% NP0 0402
- 线槽,走线系统 - 附件 Panduit Corp 0402(1005 公制) COVER DUCT WR PVC WHT .5" (6=6’)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 18PF 25V 5% NP0 0402
- RF 二极管 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE RF DUAL 100V 140MA SOT-23
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP 80V 1A 2W SOT223
- D-Sub,D 形 - 后壳,防护罩 TE Connectivity TO-261-4,TO-261AA CONN BACKSHELL DB25 DIE CAST
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 820PF 50V 10% NP0 0402
- 线槽,走线系统 - 附件 Panduit Corp 0402(1005 公制) COVER DUCT .5" PVC WHITE 36"