BZX79-B3V3 全国供应商、价格、PDF资料
BZX79-B3V3,113详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 3.3V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.3V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:95 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:带卷 (TR)
BZX79-B3V3,133详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.3V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:95 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:剪切带 (CT)
BZX79-B3V3,133详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.3V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:95 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:带盒(TB)
BZX79-B3V3,143详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:3.3V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:5µA @ 1V
- 容差:±2%
- 功率_最大:400mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:95 欧姆
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
- 供应商设备封装:ALF2
- 包装:带盒(TB)
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 1.5PF 50V NP0 0402
- 配件 Red Lion Controls CABLE TO GENERIC DB9 RS232
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 12PF 250V 5% NP0 0805
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE VREG 3.3V 500MW DO-35
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.012UF 50V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 25V 5% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 0201(0603 公制) CAP CER 0.5PF 10V NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 18PF 25V NP0 0402
- 热缩管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1.2PF 50V NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.12UF 50V 5% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4700PF 50V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0201(0603 公制) CAP CER 5PF 25V NP0 0201
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 18PF 25V NP0 0402
- 热缩管 TE Connectivity HEAT SHRINK TUBING