BZT52H-C5V6 全国供应商、价格、PDF资料
BZT52H-C5V6,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 5.6V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:5.6V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:1µA @ 2V
- 容差:±5%
- 功率_最大:375mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:40 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商设备封装:SOD-123F
- 包装:Digi-Reel®
BZT52H-C5V6,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 5.6V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:5.6V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:1µA @ 2V
- 容差:±5%
- 功率_最大:375mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:40 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商设备封装:SOD-123F
- 包装:剪切带 (CT)
BZT52H-C5V6,115详细规格
- 类别:单二极管/齐纳
- 描述:DIODE ZENER 5.6V 375MW SOD123F
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_齐纳(标称)333Vz444:5.6V
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):900mV @ 10mA
- 电流_在Vr时反向漏电:1µA @ 2V
- 容差:±5%
- 功率_最大:375mW
- 阻抗(最大)333Zzt444:40 欧姆
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOD-123F
- 供应商设备封装:SOD-123F
- 包装:带卷 (TR)
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 5.1V 375MW SOD123F
- D-Sub ITT Cannon DSUB 25 M NMB
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 37POS FLANGE W/PINS
- D-Sub ITT Cannon DSUB 13H6 F PCR/A G50 T
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS SKT
- D-Sub ITT Cannon DSUB 25 M
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors SOD-123F DIODE ZENER 5.6V 375MW SOD123F
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 43POS SKT
- D-Sub ITT Cannon DSUB 25H3 F PCR/A G50 T
- D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 25POS R/A PCB
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 6POS SKT
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT JAM NUT 43POS SKT
- D-Sub ITT Cannon DSUB 27W2 F PCR/A G T
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 5POS PIN
- D-Sub ITT Cannon CONN DSUB PLUG 25POS R/A PCB