BUK7611-55A 全国供应商、价格、PDF资料
BUK7611-55A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:TrenchMOS™
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:55V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:75A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:11 毫欧 @ 25A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:3093pF @ 25V
- 功率_最大:166W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
BUK7611-55A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
BUK7611-55A,118详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
- 系列:*
- 制造商:NXP Semiconductors
- FET型:
- FET特点:
- 漏极至源极电压333Vdss444:
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:
- Id时的Vgs333th444(最大):
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:
- 功率_最大:
- 安装类型:
- 封装/外壳:
- 供应商设备封装:
- 包装:
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 50V 5% X8L 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 470PF 250V 10% RADIAL
- 单二极管/齐纳 Fairchild Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 8.2V 350MW SOT-23
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DEV KIT FOR C8051F310/F311
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 10000PF 250VDC RADIAL
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.036UF 1.4KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 10V 5% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 470PF 250V 10% RADIAL
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 10000PF 250VDC RADIAL
- 嵌入式 - 微控制器, Silicon Laboratories Inc 32-LQFP IC 8051 MCU 16K FLASH 32LQFP
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.11UF 1.6KVDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.47UF 100V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 470PF 250V 10% RADIAL
- 单二极管/齐纳 ON Semiconductor TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE ZENER 8.2V 225MW SOT-23