BUB323Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:500 @ 5A,4.6V
- 功率_最大:150W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
BUB323ZG详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS DARL NPN 10A 350V D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:500 @ 5A,4.6V
- 功率_最大:150W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:管件
BUB323ZT4详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:500 @ 5A,4.6V
- 功率_最大:150W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
BUB323ZT4G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:500 @ 5A,4.6V
- 功率_最大:150W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:剪切带 (CT)
BUB323ZT4G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:500 @ 5A,4.6V
- 功率_最大:150W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:Digi-Reel®
BUB323ZT4G详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN DARL 10A 350V D2PAK
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):10A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):350V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1.7V @ 250mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):100µA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:500 @ 5A,4.6V
- 功率_最大:150W
- 频率_转换:2MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
- 供应商设备封装:D2PAK
- 包装:带卷 (TR)
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 垂直式,4 PC 引脚 DATA LINE CHOKE 2X47MH 0.3A
- FET - 单 NXP Semiconductors SC-100,SOT-669,4-LFPAK MOSFET N-CH 55V 47.4A LFPAK
- 配件 Amulet Technologies LLC SC-100,SOT-669,4-LFPAK KIT BEZEL FOR MK-AOB3202405X
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor SOT-665 IC OP AMP I/O CMOS 5-HVSOF
- 存储器 Rohm Semiconductor 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC EEPROM 6KBIT 400KHZ SSOP16
- 同轴,RF CUI Inc 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) CONN F BULKHEAD RECEPT W/NUT
- DC DC Converters Emerson Network Power 9-DIP 模块 CONVERTER DC/DC 3.3V OUTPUT 150W
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL,DO-41,轴向 TVS 400W 37V 7% UNIDIR DO-204AL
- 配件 Amulet Technologies LLC DO-204AL,DO-41,轴向 KIT BEZEL FOR MK-AOB3202405X
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor SOT-665 IC OP AMP I/O CMOS 5-HVSOF
- 共模扼流圈 EPCOS Inc 8-SMD RING CORE CHOKE 2X3MH 1A
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor 14-SOIC(0.173",4.40mm 宽) IC OPAMP QUAD 32V SOP14 TR
- DC DC Converters Emerson Network Power 9-DIP 模块 CONV DC/DC 50W 15V 3.33A NEG SGL
- TVS - 二极管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-204AL,DO-41,轴向 TVS 400W 37V 7% UNIDIR DO-204AL
- 二极管/齐纳阵列 NXP Semiconductors SC-70,SOT-323 DIODE ZENER DUAL 10V SOT323