BTS121A详细规格
- 类别:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关
- 描述:MOSFET N-CH 100V 22A TO-220AB
- 系列:TEMPFET®
- 制造商:Infineon Technologies
- 类型:高端
- 输入类型:非反相
- 输出数:1
- 导通电阻:85 毫欧
- 电流_输出/通道:22A
- 电流_峰值输出:68A
- 电压_电源:-
- 工作温度:-55°C ~ 150°C
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商器件封装:P-TO220AB
- 包装:管件
BTS121A E3045A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
- 系列:TEMPFET®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:22A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 9.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:95W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:带卷 (TR)
BTS121A E3045A详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N CH 100V 22A TO-220AB
- 系列:TEMPFET®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:22A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:100 毫欧 @ 9.5A,4.5V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.5V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:1500pF @ 25V
- 功率_最大:95W
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:剪切带 (CT)
- 电容器 EPCOS Inc 820UF 200V 30X30 SNAP-IN
- 背板 - ARINC ITT Cannon RACK AND PANEL PLUG 359POS
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 120PF 50V 5% NP0 0402
- 热敏电阻 - PTC EPCOS Inc 圆盘形 PTC THERMISTOR C 1119-A 120-A 51
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IC LOW SIDE SW 3.5A TO-220-3-SMT
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 200V
- 背板 - ARINC ITT Cannon RACK AND PANEL PLUG 400POS
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 13PF 50V 5% NP0 0402
- 电容器 EPCOS Inc 820UF 200V 30X30 SNAP-IN
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 680UF 200V
- 背板 - ARINC ITT Cannon RACK AND PANEL RCPT 400POS
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 450V 30X30 SNAP-IN
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 13PF 50V 5% NP0 0402
- PTC 可复位保险丝 EPCOS Inc 3225(8063 公制) PTC RESETTABLE 340MA 24VDC 3225
- PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 内部开关 Infineon Technologies TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB IC SWITCH SMART LOWSIDE TO220SMD