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BSZ180P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：39.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：18 毫欧 @ 20A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.9V @ 48µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：30nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：）0pF @ 15V; 功率_最大：2.1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）; 包装：带卷 (TR)

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C0603C392K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 50V 10% X7R 0603
BQ24702PWRG4
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC BATT CHARGER CTRLR 24-TSSOP
C0603C220D1GACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 22PF 100V NP0 0603
7-1393806-5
功率，高于 2 安 TE Connectivity 0603（1608 公制） RELAY GEN PURPOSE DPST 5A 15V
B43305C9277M87
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 270UF 400V
B41044A5478M
电容器 EPCOS Inc 4700UF 25V 18X35.5 SINGLE END
B41896C7128M
电容器 EPCOS Inc 1200UF 35V 16X25 SINGLE END
C0603C392K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 50V 10% X7R 0603
7-1393808-3
信号，高达 2 A TE Connectivity 0603（1608 公制） RELAY GEN PURPOSE 4PDT 200MA 20V
BQ24705EVM
评估演示板和套件 Texas Instruments 8-PowerTDFN BQ24705EVM
B41044A6105M
电容器 EPCOS Inc 1UF 50V 5X11 SINGLE END
B43305C9337M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 400V
C0603C392M4RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 16V 20% X7R 0603
7-1393810-3
信号，高达 2 A TE Connectivity 0603（1608 公制） RELAY GEN PURPOSE 4PDT 2A 24V
B41896C7158M
电容器 EPCOS Inc 1500UF 35V 16X31.5 SINGLE END