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BSS670S2L L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 55V 540MA SOT-23; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：55V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：540mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：650 毫欧 @ 270mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 2.7µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：2.26nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：75pF @ 25V; 功率_最大：360mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：PG-SOT23-3; 包装：带卷 (TR)

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