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BSS192P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：Digi-Reel®

BSS192P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：剪切带 (CT)

BSS192P L6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：带卷 (TR)

BSS192PE6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：带卷 (TR)

BSS192PE6327详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：剪切带 (CT)

BSS192PE6327T详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89; 系列：SIPMOS®; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：250V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：190mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：12 欧姆 @ 190mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 130µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：104pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-243AA; 供应商设备封装：PG-SOT89-4; 包装：剪切带 (CT)

AU-12.288MBE-T
振荡器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 12.288MHZ 3.3V
BSS192P L6327
FET - 单 Infineon Technologies TO-243AA MOSFET P-CH 250V 190MA SOT-89
C1433ALMAM
配件 Arcolectric TO-243AA TEMP MONITOR PNL MNT +6F TO -7F
BU-29-5
配件 Mueller Electric Co TO-243AA INSULATOR FOR BU-27 SERIES GREEN
AT30TSE002B-MAH-T
PMIC - 热管理 Atmel SENSOR DGTL TEMP I2C/SMBUS 8WDFN
BA17810T
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-3 整包 IC REG LDO 10V 1A TO220FP
BQ24166YFFT
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
B41858C7477M
电容器 EPCOS Inc 470UF 35V SINGLE END
AU-13.500MBE-T
振荡器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 13.500MHZ 3.3V
BU-29-6
配件 Mueller Electric Co TO-243AA INSUL GEOPHONE PVC BLUE 3.5"
AT30TSE752-MA8-T
PMIC - 热管理 Atmel SENSOR DGTL TEMP I2C/SMBUS 8UDFN
B41858C8128M9
电容器 EPCOS Inc 1200UF 63V SINGLE END
BQ24166YFFT
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 49-UFBGA，DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
AU-13.500MBE-T
振荡器 TXC CORPORATION 1210（3225 公制） OSCILLATOR 13.500MHZ 3.3V
BA17812FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 12V 1A TO252-3

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