BSS159N E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:耗尽模式
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 160mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:44pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS159N E6906详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:耗尽模式
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 160mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:44pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS159N H6906详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:耗尽模式
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 160mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:44pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BSS159N H6906详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:耗尽模式
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 160mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:44pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS159N H6906详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:耗尽模式
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 160mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:44pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS159N L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:耗尽模式
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:230mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:3.5 欧姆 @ 160mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.4V @ 26µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.9nC @ 5V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:44pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRG MGMT LI-ION 24VQFN
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC REG LDO 15V 1A TO252-3
- 陶瓷 AVX Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 16V 10% X7R 0805
- 配件 NKK Switches 0805(2012 公制) DIFFUSER TRANS SQ WHITE
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23
- 配件 Arcolectric TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MNTCE TIMER 230V GN/RD 3 WEEK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-220-3截切引线 IC REG LDO 5V 1A TO220CP-3
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 24-VFQFN 裸露焊盘 IC BATT CHRG MGMT LI-ION 24VQFN
- 箱 Bud Industries 24-VFQFN 裸露焊盘 CABINET ALUM 6X6X6" NAT
- 配件 Arcolectric TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MNTCE TIMER 230V GN/RD 3 WEEK
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 IC REG LDO 8V 1A TO252-3
- 电容器 EPCOS Inc 220UF 35V SINGLE END
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 49-UFBGA,DSBGA IC BATT CHRG MGMT LI-ION 49DSBGA
- 箱 Bud Industries 49-UFBGA,DSBGA CABINET ALUM 5X6X9" GRY
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23