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BSS138BK,215详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V TO-236AB; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：360mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 350mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V; 功率_最大：350mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BSS138BKS,115详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 320mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V; 功率_最大：445mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：带卷 (TR)

BSS138BKS,115详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 320mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V; 功率_最大：445mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

BSS138BKS,115详细规格: 类别：FET - 阵列; 描述：MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：2 个 N 沟道（双）; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 320mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V; 功率_最大：445mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

BSS138BKW,115详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET N-CH 60V SC-70; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：60V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：320mA; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.6 欧姆 @ 320mA，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：1.6V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：0.7nC @ 4.5V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：56pF @ 10V; 功率_最大：260mW; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：SC-70，SOT-323; 供应商设备封装：SC-70; 包装：带卷 (TR)

74LVC1G3157GN,132
接口 - 模拟开关，多路复用器，多路分解器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC MUX/DEMUX 2X1 6XSON
BSS126 H6906
FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23
C2012X7R1A155M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 1.5UF 10V 20% X7R 0805
C0603C823K3RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.082UF 25V 10% X7R 0603
C0603C392K2RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 200V 10% X7R 0603
BQ24151AYFFR
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 20-UFBGA，DSBGA IC LI-ION CHARGE MGMT 20DSBGA
BK1005HW431-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） FERRITE BEAD 430 OHM 0402
C0805C109C5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 50V NP0 0805
74LVC1G3208DBVTG4
逻辑 - 栅极和逆变器 - 多功能，可配置 Texas Instruments SOT-23-6 IC SGL 3IN OR/AND GATE SOT23-6
C0603C823K8RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.082UF 10V 10% X7R 0603
BQ24151EVM
评估演示板和套件 Texas Instruments 0603（1608 公制） EVALUATION MODULE FOR BQ24151
BK1005LL050-T
铁氧体磁珠和芯片 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） FERRITE BEAD 5 OHM 0402
C0805C109D1GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 1PF 100V NP0 0805
C0603C392K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 3900PF 50V 10% X7R 0603
C2012X7R1A225M
陶瓷 TDK Corporation 0805（2012 公制） CAP CER 2.2UF 10V 20% X7R 0805

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