BSS123E6327 全国供应商、价格、PDF资料
BSS123E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:69pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:剪切带 (CT)
BSS123E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):1.8V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.67nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:69pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0805
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0404(1010 公制),凸起 RES ARRAY 22 OHM 2 RES 0404
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0805K17AUTOLCG
- FET - 单 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 560PF 50V 5% X7R 0805
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES YELLW
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.33UF 25V 20% X5R 0402
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0805
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0404(1010 公制),凸起 RES ARRAY 22 OHM 2 RES 0404
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.33UF 25V 20% X5R 0402
- 配件 Mueller Electric Co 0402(1005 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES YELLW
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 5.6PF 50V NP0 0805
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0404(1010 公制),凸起 RES ARRAY 33 OHM 2 RES 0404
- TVS - 二极管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 配件 Mueller Electric Co INSULATOR FOR BU-27 SERIES YELLW