BSS119 E6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS119 E7796详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS119 E7978详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS119 L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
BSS119 L6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:Digi-Reel®
BSS119 L6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:100V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:170mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:6 欧姆 @ 170mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2.3V @ 50µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:2.5nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:78pF @ 25V
- 功率_最大:360mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:PG-SOT23-3
- 包装:带卷 (TR)
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 0.33UF 25V 10% X5R 0402
- 配件 Mueller Electric Co 0402(1005 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
- 电容器 EPCOS Inc 22UF 160V SINGLE END
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 510 OHM 4 RES 0804
- TVS - 二极管 EPCOS Inc CIRCUIT PROTECTION TVS DIODE
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANS NPN 80V 1000MA SOT89
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 56PF 100V 5% NP0 0805
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 510K OHM 4 RES 0804
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603K17CCG
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 56PF 200V 5% NP0 0805
- 配件 Mueller Electric Co 0805(2012 公制) INSULATOR FOR BU-27 SERIES RED
- 电容器 EPCOS Inc 10UF 250V SINGLE END
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 56 OHM 4 RES 0804
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR CT0603K7G