BSR14详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:剪切带 (CT)
BSR14详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:Digi-Reel®
BSR14详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS NPN 40V 0.8A SOT23
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:350mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23
- 包装:带卷 (TR)
BSR14,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BSR14,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BSR14,215详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN SWITCHING SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):40V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):1V @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,10V
- 功率_最大:250mW
- 频率_转换:300MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION 10MSOP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 39PF 50V 10% NP0 0603
- 配件 MPD (Memory Protection Devices) 0603(1608 公制) 9V FASTENING RIVET FOR SNAP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 10V 20% X7R 0805
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 820PF 50V 2% NP0 0603
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 IC BUFF/DVR TRI-ST N-INV SC705
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 MEMORY CASSETTE 4K WORD EEPROM
- 陶瓷 TDK Corporation 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 16V 20% X6S 0805
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 IC BATT CHRGR LI-ION 10MSOP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1UF 25V Y5V 0805
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 820PF 25V 5% NP0 0603
- 逻辑 - 缓冲器,驱动器,接收器,收发器 Texas Instruments 6-UFDFN IC BUFF/DVR TRI-ST N-INV 6SON
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 390PF 50V 2% NP0 0603
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 IC BATT CHARGER LI-ION 10MSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 10-TFSOP,10-MSOP(0.118",3.00mm 宽)裸焊盘 MEMORY CASSETTE 4K WORD EEPROM