BSP32,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
- 功率_最大:1.3W
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:剪切带 (CT)
BSP32,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
- 功率_最大:1.3W
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
BSP32,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 80V 1000MA SOT223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 100mA,5V
- 功率_最大:1.3W
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:Digi-Reel®
BSP320S E6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP320S E6433详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP320S L6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:2.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:120 毫欧 @ 2.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):4V @ 20µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:340pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Mueller Electric Co INSULATOR PVC RED 5"
- 电容器 EPCOS Inc 3.3UF 400V SINGLE END
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 100 OHM 4 RES 0804
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc 圆盘 14mm VARISTOR S14K95E2
- 照明保护 Thomas Research Products SURGE PROTECTOR-208/240V DRIVER
- 配件 Mueller Electric Co INSULATOR PVC YELLOW 5"
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 100UF 420V
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 10V 10% X7R 0805
- 电容器 EPCOS Inc 33UF 400V SINGLE END
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc 圆盘 14mm VARISTOR S14K420G3S3
- 配件 Mueller Electric Co 圆盘 14mm INSULATOR FOR BU-21 SERIES GREEN
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 4.7UF 6.3V 10% X5R 0805
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1000UF 160V
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 0804(2010 公制),凹陷 RES ARRAY 1K OHM 4 RES 0804
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 10UF 250V