BSP171PE6327 全国供应商、价格、PDF资料
BSP171PE6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 460µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
BSP171PE6327详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 460µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP171PE6327T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 460µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:带卷 (TR)
BSP171PE6327T详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223
- 系列:SIPMOS®
- 制造商:Infineon Technologies
- FET型:MOSFET P 通道,金属氧化物
- FET特点:逻辑电平门
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:1.9A
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:300 毫欧 @ 1.9A,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):2V @ 460µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:20nC @ 10V
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:460pF @ 25V
- 功率_最大:1.8W
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:PG-SOT223-4
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805
- 电池座,夹,触点 MPD (Memory Protection Devices) 0805(2012 公制) HOLDER COIN CELL 2032 SMD
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 2200UF 400V
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc VARISTOR S10K175S5
- FET - 单 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT-223
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 68UF 350V
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 22000UF 160V
- TVS - 变阻器,MOV EPCOS Inc 圆盘 10mm VARISTOR S10K20G3S5
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 0.47UF 25V 20% Y5V 0805
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 2.2UF 10V 10% X5R 0402
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 4.7UF 400V
- 接口 - 驱动器,接收器,收发器 Rohm Semiconductor 18-SOIC (0.213", 5.40mm 宽) IC DRIVER 12BIT S-IN P-OUT SOP18
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 4700UF 400V