BSO080P03S的供应信息|PDF资料|求购BSO080P03S上51电子网

BSO080P03S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

BSO080P03S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

BSO080P03S详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF @ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：PG-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO080P03S H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF@ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：P-DSO-8; 包装：剪切带 (CT)

BSO080P03S H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF@ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：P-DSO-8; 包装：Digi-Reel®

BSO080P03S H详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 12.6A DSO-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：12.6A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫欧 @ 14.9A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2.2V @ 250µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：136nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：5890pF@ 25V; 功率_最大：1.79W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）; 供应商设备封装：P-DSO-8; 包装：带卷 (TR)

C0805X331J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0805
BQ2028YZGR
存储器 Texas Instruments 12-UFBGA，DSBGA IC OTP 4KBIT 12DSBGA
B41791A5477Q
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO AXIAL LEADED 470UF 25V
BSO065N03MS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 13A DSO-8
7-1879227-0
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 1206（3216 公制） RES 909K OHM 1/8W 0.1% 1206
C3DES-4006G-ND
矩形 CW Industries 1206（3216 公制） IDC CABLE - CKR40S/AE40G/CCE40S
B43540A5337M80
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 330UF 450V
C0805X332K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 3300PF 50V 10% X7R 0805
BQ2031PN-A5
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 16-DIP（0.300"，7.62mm） IC LEAD ACID FAST CHARGE 16-DIP
7-1879227-1
芯片电阻 - 表面安装 TE Connectivity 1206（3216 公制） RES 931K OHM 1/8W 0.1% 1206
C3DES-5006M-ND
矩形 CW Industries 1206（3216 公制） IDC CABLE - CKR50S/AE50M/CCE50S
C0805X470J5GACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 47PF 50V 5% NP0 0805
B43540A5397M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 390UF 450V
B41792A7477Q
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO AXIAL LEADED 470UF 40V
BSO119N03S
FET - 单 Infineon Technologies 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8

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