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BSC084P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8; 包装：剪切带 (CT)

BSC084P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8; 包装：Digi-Reel®

BSC084P03NS3E G详细规格: 类别：FET - 单; 描述：MOSFET P-CH 30V 14.9A TDSON-8; 系列：OptiMOS™; 制造商：Infineon Technologies; FET型：MOSFET P 通道，金属氧化物; FET特点：逻辑电平门; 漏极至源极电压333Vdss444：30V; 电流_连续漏极333Id4440a025000C：14.9A; 开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8.4 毫欧 @ 50A，10V; Id时的Vgs333th444（最大）：2V @ 110µA; 闸电荷333Qg4440a0Vgs：57.7nC @ 10V; 输入电容333Ciss4440a0Vds：4240pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：8-PowerTDFN; 供应商设备封装：PG-TDSON-8; 包装：带卷 (TR)

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配件 Tripp Lite 模块 BATT PACK EXT 48V 2U W/CABLE
D38999/20MG35SN-LC
圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 79POS SKT
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通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 309 OHM 1/2W .5% AXIAL
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