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BSC028N06NS 全国供应商、价格、PDF资料

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BSC028N06NS详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSF N CH 60V 23A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:23A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 50µ A
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 30V
功率_最大:2.5W
安装类型:*
封装/外壳:*
供应商设备封装:*
包装:*

BSC028N06NS详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSF N CH 60V 23A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:23A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 50µ A
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 30V
功率_最大:2.5W
安装类型:表面贴装
封装/外壳:8-PowerTDFN
供应商设备封装:PG-TDSON-8
包装:散装

BSC028N06NS详细规格

类别:FET - 单
描述:MOSF N CH 60V 23A TDSON-8
系列:OptiMOS™
制造商:Infineon Technologies
FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点:逻辑电平门
漏极至源极电压333Vdss444:60V
电流_连续漏极333Id4440a025000C:23A
开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:2.8 毫欧 @ 50A,10V
Id时的Vgs333th444(最大):2.8V @ 50µ A
闸电荷333Qg4440a0Vgs:12nC @ 10V
输入电容333Ciss4440a0Vds:2700pF @ 30V
功率_最大:2.5W
安装类型:*
封装/外壳:*
供应商设备封装:*
包装:*

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