BS870-7-F详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:250mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 200mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:带卷 (TR)
BS870-7-F详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:250mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 200mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:Digi-Reel®
BS870-7-F详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 250MA SOT23-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:250mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 200mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 250µA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:50pF @ 10V
- 功率_最大:300mW
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:SOT-23-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 通用嵌入式开发板和套件(MCU、DSP、FPGA、CPLD等) Toshiba 7-VELGA KIT STARTER TMPA900 USB JTAG
- 箱 - 配件 Rose Bopla 侧视图 GASKET BLUE FOR BS 800 ENCLOSURE
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 10000PF 100V 5% NP0 1812
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 13POS BOX MNT W/SKTS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 4 POS BOX MNT W/SKTS
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 30.0000KHZ 11PF CYL
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 2200PF 250V 20% RADIAL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 5POS JAM NUT W/PINS
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 10000PF 100V 5% NP0 1812
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 4 POS BOX MNT W/SKTS
- 晶体 EPSON 圆柱形罐,径向 CRYSTAL 32.0000KHZ 11PF CYL
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 7POS BOX MNT W/PINS
- 连接器,互连器件 ITT Cannon CONN RCPT 2POS JAM NUT W/SKTS
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 2200PF 400V 20% RADIAL
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 10000PF 200V 5% X7R 1812