BS170RL1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:500mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 200mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 10V
- 功率_最大:350mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
BS170RL1G详细规格
- 类别:FET - 单
- 描述:MOSFET N-CHAN 60V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- FET型:MOSFET N 通道,金属氧化物
- FET特点:标准
- 漏极至源极电压333Vdss444:60V
- 电流_连续漏极333Id4440a025000C:500mA
- 开态Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:5 欧姆 @ 200mA,10V
- Id时的Vgs333th444(最大):3V @ 1mA
- 闸电荷333Qg4440a0Vgs:-
- 输入电容333Ciss4440a0Vds:60pF @ 10V
- 功率_最大:350mW
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:剪切带 (CT)
- FET - 单 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3 标准主体 MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.22UF 50V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 1000PF 50V 5% NP0 1210
- 晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 15.3600MHZ 20PF
- FET - 单 Diodes Inc TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 MOSFET N-CH 60V 150MA SOT23-3
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 1000PF 500V 10% NP0 1210
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 16-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC BATTERY GAS GAUGE 16-SOIC
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Microsemi SoC 256-LBGA IC FPGA AXCELERATOR 125K 256FBGA
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 16V 10% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 1000PF 500V 10% X7R 1210
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Microsemi SoC 324-BGA IC FPGA AXCELERATOR 125K 324FBGA
- 晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 15.36 MHZ 20 PF FUND
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 2.2UF 16V 10% X7R 1206
- 过时/停产零件编号 Texas Instruments 1206(3216 公制) EVAL MOD FOR BQ2019
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 10000PF 250V X7R 1210