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BS1001-7R详细规格

类别：DC DC Converters

描述：EURO-CASSETTE 100W 5.1V

系列：S

制造商：Power-One

类型：隔离

电压_输入：14 ~ 70 V

输出：5.1V

输出数：1

不同电流时的输出（最大值）_1：5.1 VDC @ 16A

不同电流时的输出（最大值）_2：-

不同电流时的输出（最大值）_3：-

不同电流时的输出（最大值）_4：-

功率333W444：100W

安装类型：底座安装

工作温度：-25°C ~ 71°C

效率：77%

封装/外壳：模块

大小/尺寸：6.73" L x 4.37" W x 2.06" H（171.0mm x （.0mm x 52.2mm）

包装：散装

BS1001-7R详细规格

类别：DC DC Converters

描述：EURO-CASSETTE 100W 5.1V

系列：S

制造商：Power-One

类型：隔离

输出数：1

电压_输入（最小值）：

电压_输入（最大值）：

电压_输出1：

电压_输出2：

电压_输出3：

电流_输出（最大值）：

功率333W444_制造系列：

电压_隔离：

特性：

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

大小/尺寸：6.73" L x 4.37" W x 2.06" H（171.0mm x （.0mm x 52.2mm）

包装：散装

工作温度：-25°C ~ 71°C

效率：77%

BS100C详细规格

类别：光学 - 光电检测器 - 光电二极管

描述：PHOTODIODE BLUE SENS

系列：-

制造商：Sharp Microelectronics

波长：560nm

颜色_增强型：蓝

光谱范围：500nm ~ 600nm

二极管类型：-

nm下响应率：-

响应时间：-

电压_333Vr444（最大）：10V

电流_暗（标准）：3pA

有效面积：-

视角：-

工作温度：-20°C ~ 60°C

封装/外壳：侧视图

BS100C0F详细规格

类别：光学 - 光电检测器 - 光电二极管

描述：PHOTODIODE BLUE SENS

系列：-

制造商：Sharp Microelectronics

波长：560nm

颜色_增强型：蓝

光谱范围：500nm ~ 600nm

二极管类型：-

nm下响应率：-

响应时间：-

电压_333Vr444（最大）：10V

电流_暗（标准）：3pA

有效面积：-

视角：-

工作温度：-20°C ~ 60°C

封装/外壳：侧视图

BS107AG详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：250mA

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 欧姆 @ 250mA，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：60pF @ 25V

功率_最大：350mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体

供应商设备封装：TO-92-3

包装：散装

BS107ARL1详细规格

类别：FET - 单

描述：MOSFET N-CH 200V 250MA TO-92

系列：-

制造商：ON Semiconductor

FET型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET特点：逻辑电平门

漏极至源极电压333Vdss444：200V

电流_连续漏极333Id4440a025000C：250mA

开态Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.4 欧姆 @ 250mA，10V

Id时的Vgs333th444（最大）：3V @ 1mA

闸电荷333Qg4440a0Vgs：-

输入电容333Ciss4440a0Vds：60pF @ 25V

功率_最大：350mW

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线

供应商设备封装：TO-92-3

包装：带卷 (TR)