BQ4014YMB-120 全国供应商、价格、PDF资料
BQ4014YMB-120详细规格
- 类别:存储器
- 描述:IC NVSRAM 2MBIT 120NS 32DIP
- 系列:-
- 制造商:Texas Instruments
- 格式_存储器:RAM
- 存储器类型:NVSRAM(非易失 SRAM)
- 存储容量:2M (256K x 8)
- 速度:120ns
- 接口:并联
- 电压_电源:4.5 V ~ 5.5 V
- 工作温度:0°C ~ 70°C
- 封装/外壳:32-DIP 模块(0.61",15.49mm)
- 供应商器件封装:32-DIP 模块(18.42x52.96)
- 包装:管件
- 钽 Kemet 2917(7343 公制) CAP TANT 470UF 6.3V 20% 2917
- 电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SCREW TERM 1000UF 500V
- 存储器 Texas Instruments 32-DIP 模块(0.61",15.49mm) IC NVSRAM 1MBIT 120NS 32DIP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 9PF 50V NP0 0603
- 面板至面板 - 面板衬垫,堆叠器 TE Connectivity 0603(1608 公制) CONN HEADR 56POS .100" DUAL ROW
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 22PF 1KV 10% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc HF-CHOKE BC 1UH 5%
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 2.2NF 5% 700VAC MKP
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 220PF 100V 5% NP0 0805
- 面板至面板 - 面板衬垫,堆叠器 TE Connectivity 0805(2012 公制) CONN HEADR 46POS .100" DUAL ROW
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 91PF 100V 1% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc 轴向 CHOKE RF 15UH 610MA AXIAL
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 FILM CAP 2.2NF 5% 700VAC MKP