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BLM31PG121SN1L详细规格: 类别：铁氧体磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 120 OHM 3000MA 1206; 系列：EMIFIL®, BLM31P; 制造商：Murata Electronics North America; 频率对应阻抗：120 欧姆 @ 100MHz; 额定电流：3A; DC电阻333DCR444：最大 25 毫欧; 滤波器类型：差模 - 单线; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 安装类型：表面贴装; 包装：Digi-Reel®; 高度（最大）：0.041"（1.05mm）; 尺寸/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

BLM31PG121SN1L详细规格: 类别：铁氧体磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 120 OHM 3000MA 1206; 系列：EMIFIL®, BLM31P; 制造商：Murata Electronics North America; 频率对应阻抗：120 欧姆 @ 100MHz; 额定电流：3A; DC电阻333DCR444：最大 25 毫欧; 滤波器类型：差模 - 单线; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 安装类型：表面贴装; 包装：剪切带 (CT); 高度（最大）：0.041"（1.05mm）; 尺寸/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

BLM31PG121SN1L详细规格: 类别：铁氧体磁珠和芯片; 描述：FERRITE CHIP 120 OHM 3000MA 1206; 系列：EMIFIL®, BLM31P; 制造商：Murata Electronics North America; 频率对应阻抗：120 欧姆 @ 100MHz; 额定电流：3A; DC电阻333DCR444：最大 25 毫欧; 滤波器类型：差模 - 单线; 封装/外壳：1206（3216 公制）; 安装类型：表面贴装; 包装：带卷 (TR); 高度（最大）：0.041"（1.05mm）; 尺寸/尺寸：0.126" L x 0.063" W（3.20mm x 1.60mm）

BR24S32FVT-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC EEPROM 32KBIT 400KHZ 8TSSOP
6.3PX6800MEFCG412.5X25
电容器 Rubycon CAP ALUM 6800UF 6.3V 20% RADIAL
B57421V2471K62
热敏电阻 - NTC EPCOS Inc 0805（2012 公制） THERMISTOR NTC 470 OHM 10% 0805
BLM31PG121SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 120 OHM 3000MA 1206
BMP180
压力 Bosch Sensortec 7-VELGA SENSOR PRESSURE ABS
B82477R4334M100
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 330UH 1.12A SMD
C1206C183J5RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.018UF 50V 5% X7R 1206
BR24S64FJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 64KBIT 400KHZ 8SOP
6.3SEV22M4X5.5
电容器 Rubycon CAP ALUM 22UF 6.3V 20% SMD
BMP180
压力 Bosch Sensortec 7-VELGA SENSOR PRESSURE ABS
B82477R4473M100
固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 47UH 3.2A SMD
6.3SEV47M5X5.5
电容器 Rubycon CAP ALUM 47UF 6.3V 20% SMD
C1206C183K1RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 0.018UF 100V X7R 1206
B57431V2104J62
热敏电阻 - NTC EPCOS Inc 0805（2012 公制） THERMISTOR NTC 100K OHM 5% 0805
BLM31PG391SN1L
铁氧体磁珠和芯片 Murata Electronics North America 1206（3216 公制） FERRITE CHIP 390 OHM 2000MA 1206

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