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» 型号"BG 3130R E6327"的供应信息
BG 3130R E6327 全国供应商、价格、PDF资料
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BG 3130R E6327详细规格
类别:RF FET
描述:MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
系列:-
制造商:Infineon Technologies
晶体管类型:2 N-通道(双)
频率:800MHz
增益:24dB
电压_测试:5V
额定电流:25mA
噪音数据:1.3dB
电流_测试:14mA
功率_输出:-
电压_额定:8V
封装/外壳:6-VSSOP,SC-88,SOT-363
供应商设备封装:PG-SOT363-6
包装:带卷 (TR)
BG 3130R E6327供应商
BG 3130R E6327
北京显周科技有限公司
13910052844(微
BG 3130R E6327
北京显周科技有限公司
13910052844(微
BG 3130R E6327
北京上用科技有限公司
13910052844(微
查看更多BG 3130R E6327的供应商
B43504E2158M87
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1500UF 200V
BFU730F,115
RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors SOT-343F TRANSISTOR NPN SOT343F-4
BD46291G-TR
PMIC - 监控器 Rohm Semiconductor 6-TFSOP(0.063",1.60mm 宽),5 引线 IC RESET CMOS 2.9V 100MS 5SSOP
B37931K0223K060
陶瓷 EPCOS Inc 0603(1608 公制) CAP CER 0.022UF 25V 10% X7R 0603
BSC082N10LS G
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 100A 8TDSON
C317C759D5G5TA
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 7.5PF 50V RADIAL
B82422A3100K100
固定式 EPCOS Inc 1210(3225 公制) INDUCTOR .01UH 750MA 1210 10%
B37981F5473K000
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
B43504E2188M87
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 1800UF 200V
BSC0902NS
FET - 单 Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 30V 100A 8TDSON
B37931K0223K070
陶瓷 EPCOS Inc 0603(1608 公制) CAP CER 0.022UF 25V 10% X7R 0603
C320C102J2G5TA
陶瓷 Kemet 径向 CAP CER 1000PF 200V 5% RADIAL
B82422A3101K108
固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 1210 0.1UH 10%
B43504E2227M82
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SNAP IN 220UF 200V
B37981F5473K051
陶瓷 EPCOS Inc 径向 CAP CER 0.047UF 50V 10% RADIAL
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