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BFP 740FESD E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：47GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：9dB ~ 31dB; 功率_最大：160mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 25mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：45mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：剪切带 (CT)

BFP 740FESD E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：47GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：9dB ~ 31dB; 功率_最大：160mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 25mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：45mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：带卷 (TR)

BFP 740FESD E6327详细规格: 类别：RF 晶体管 (BJT); 描述：TRANS RF NPN 47GHZ 4.7V TSFP4; 系列：-; 制造商：Infineon Technologies; 晶体管类型：NPN; 电压_集电极发射极击穿（最大）：4.7V; 频率_转换：47GHz; 噪声系数（dB典型值0a0频率）：0.5dB ~ 1.45dB @ 150MHz ~ 10GHz; 增益：9dB ~ 31dB; 功率_最大：160mW; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：160 @ 25mA，3V; 电流_集电极333Ic444（最大）：45mA; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：4-SMD，扁平引线; 供应商设备封装：4-TSFP; 包装：Digi-Reel®

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BFP 740ESD H6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANS RF NPN 45GHZ 4.7V SOT343
BR24L16FJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOP
BFP 196W E6327
RF 晶体管 (BJT) Infineon Technologies SC-82A，SOT-343 TRANSISTOR NPN RF 12V SOT-343
C1812F104K5RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 50V 10% X7R 1812
C0603X5R0J683K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.068UF 6.3V X5R 0201
C0603C154K8RACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 10V 10% X7R 0603
C0805C272K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 10% X7R 0805
BMI-S-105
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD 1.0X1.5" 1PIECE
BR24L16FVJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-VSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） IC EEPROM 16KBIT 100KHZ TSSOPB8J
C0603C154Z3VACTU
陶瓷 Kemet 0603（1608 公制） CAP CER 0.15UF 25V Y5V 0603
C1812F104M1RACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 0.1UF 100V 20% X7R 1812
C0603X5R0J683K
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 0.068UF 6.3V X5R 0201
C0805C272M5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 2700PF 50V 20% X7R 0805
BMI-S-107
RF 屏蔽 Laird Technologies EMI 0805（2012 公制） BOARD SHIELD 1.747X1.747" 1PIECE
BR24S08FJ-WE2
存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） IC EEPROM 8KBIT 400KHZ 8SOP