BFG520W,115详细规格
- 类别:RF 晶体管 (BJT)
- 描述:TRANS NPN 6V 70MA SOT343N
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:NPN
- 电压_集电极发射极击穿(最大):15V
- 频率_转换:9GHz
- 噪声系数(dB典型值0a0频率):1.1dB ~ 2.1dB @ 900MHz
- 增益:-
- 功率_最大:500mW
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:60 @ 20mA,6V
- 电流_集电极333Ic444(最大):70mA
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SOT-343 反向插针
- 供应商设备封装:4-SO
- 包装:带卷 (TR)
- 配件 Cooper Bussmann 8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) FUSEBLOCK ADDR 13/32 X 1 1/2" QC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X8L 0603
- FET - 单 NXP Semiconductors TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB MOSFET N-CH 55V 65.7A D2PAK
- RF 晶体管 (BJT) NXP Semiconductors TO-253-4,TO-253AA TRANS RF NPN 9GHZ 15V SOT143
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 6800PF 50V 10% X7R 1812
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 270PF 200V 5% NP0 0805
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOIC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1500PF 16V 10% X7R 0603
- 配件 Cooper Bussmann 0603(1608 公制) FUSEBLOCK ADDR 13/32 X 1 1/2" QC
- 陶瓷 Kemet 1812(4532 公制) CAP CER 6800PF 1.5KV X7R 1812
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 270PF 25V 5% NP0 0805
- 存储器 Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) IC EEPROM 16KBIT 400KHZ 8SOIC
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 1500PF 50V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 0.047UF 50V 10% X8L 0603
- 编码器 CUI Inc 0603(1608 公制) ENCODER OPT 3CHAN 500PPR 5VDC