BDW93详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 45V 12A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):12A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
- 功率_最大:80W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:散装
BDW93A详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 60V 12A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):12A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):60V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
- 功率_最大:80W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:散装
BDW93C详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 12A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):12A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
- 功率_最大:80W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:散装
BDW93C详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-220
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):12A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
- 功率_最大:80W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
BDW93CFP详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR DARL NPN TO-220FP
- 系列:-
- 制造商:STMicroelectronics
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):12A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
- 功率_最大:33W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3 整包
- 供应商设备封装:TO-220FP
- 包装:管件
BDW93CFTU详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR NPN 100V 12A TO-220
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:NPN - 达林顿
- 电流_集电极333Ic444(最大):12A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):100V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):3V @ 100mA,10A
- 电流_集电极截止(最大):1mA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:750 @ 5A,3V
- 功率_最大:80W
- 频率_转换:-
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220
- 包装:管件
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Microsemi SoC 896-BGA IC FPGA AXCELERATOR 2M 896-FBGA
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AH,DO-35,轴向 DIODE ZENER 2.7V 500MW DO-35
- 矩形 CW Industries DO-204AH,DO-35,轴向 IDC CABLE - CSR60G/AE60G/X
- 晶体管(BJT) - 单路 STMicroelectronics TO-220-3 TRANSISTOR DARL NPN TO-220
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.33UF 760VDC RADIAL
- 电容器 EPCOS Inc 1900UF 35V 16X30 AXIAL
- D-Sub Norcomp Inc. CONN MALE 40A 8W8 SLD CUP TIN
- 线路滤波器 EPCOS Inc FILTER POWER LINE 50A 250/440V
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Microsemi SoC 896-BGA IC FPGA AXCELERATOR 2M 896-FBGA
- 矩形 CW Industries TO-220-3 IDC CABLE - CSR10S/AE10M/X
- 电容器 EPCOS Inc 1000UF 40V 14X30 AXIAL
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 0.33UF 760VDC RADIAL
- 线路滤波器 EPCOS Inc 径向 FILTER 3-LINE 300VAC 150A PANEL
- D-Sub Norcomp Inc. 径向 CONN MALE 20A 8W8 SLD CUP NKL
- 嵌入式 - FPGA(现场可编程门阵列) Microsemi SoC 256-LBGA IC FPGA AXCELERATOR 250K 256FBGA