BCX53TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 80V 1A 1W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:Digi-Reel®
BCX53TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 80V 1A 1W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:带卷 (TR)
BCX53TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 80V 1A 1W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:40 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2200PF 50V 2% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 200V X7R 1206
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 470UH 500MA SMD
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 50V 5% NP0 0603
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 100V X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2200PF 2KV 5% X7R 1210
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0402
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 68UH 1.5A SMD
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 0.056UF 50V 20% X7R 1206
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 100PF 50V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 2200PF 500V 10% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 3300PF 10V 5% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc 非标准 INDUCTOR POWER 1.0UH 9.00A SMD
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-243AA TRANS NPN AF 45V SOT-89