BCX5316TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:带卷 (TR)
BCX5316TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:Digi-Reel®
BCX5316TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP -80V SOT-89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):80V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89-3
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 20PF 400V 5% RADIAL
- 网络、阵列 CTS Resistor Products 14-SOIC(0.220",5.59mm 宽) RES ARRAY 2.7K OHM 7 RES 14-SOIC
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-243AA TRANS PNP 80V 1A 1W SOT89
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 38-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC GAS GAUGE BQ29312A 38TSSOP
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc 38-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) DEV KIT FOR F300/301/302/304/305
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1UF 6.3V 10% X6S 0402
- 矩形- 接头,公引脚 FCI 0402(1005 公制) HDR RA DR .100 DP
- 摇臂 Arcolectric 0402(1005 公制) SWITCH ROCKER DPST-NO 20A 277V
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 20PF 250V 5% RADIAL
- PMIC - 电池管理 Texas Instruments 30-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) IC GAS GAUGE FOR BQ29330 30TSSOP
- 过时/停产零件编号 Silicon Laboratories Inc 30-TFSOP(0.173",4.40mm 宽) DEV KIT FOR F300/301/302/304/305
- 陶瓷 TDK Corporation 0402(1005 公制) CAP CER 1UF 6.3V 10% X6S 0402
- 矩形- 接头,公引脚 FCI 0402(1005 公制) HDR RA DR .100 DP
- 陶瓷 Kemet 径向,圆盘 CAP CER 20PF 250V 5% RADIAL
- 摇臂 Arcolectric 径向,圆盘 SWITCH ROCKER SPST 20A 277V