BCX5116TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 45V 1A 1W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:Digi-Reel®
BCX5116TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 45V 1A 1W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:带卷 (TR)
BCX5116TA详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP 45V 1A 1W SOT89
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:150MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-243AA
- 供应商设备封装:SOT-89
- 包装:剪切带 (CT)
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 7X7 4.7UH 2.50A
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 50V 5% NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 10V NP0 0402
- 电池座,夹,触点 MPD (Memory Protection Devices) 0402(1005 公制) HOLDER BATT 2-AA CELLS SLDR LUGS
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 560PF 50V 10% NP0 1206
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-243AA TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT89
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 50V 5% X7R 0603
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 8X 7 470UH 0.34A
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 16V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 50V 1% NP0 1206
- 固定式 EPCOS Inc SMT-INDUCTOR 8*7 33UH
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 330PF 10V 5% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 1210(3225 公制) CAP CER 22PF 50V 5% NP0 1210
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 10PF 50V 5% NP0 0402
- 陶瓷 Kemet 1206(3216 公制) CAP CER 5600PF 50V 1% NP0 1206