BCP51,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:145MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:带卷 (TR)
BCP51,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:145MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:Digi-Reel®
BCP51,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 1A SOT-223
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):1A
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:63 @ 150mA,2V
- 功率_最大:1W
- 频率_转换:145MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-261-4,TO-261AA
- 供应商设备封装:SC-73
- 包装:剪切带 (CT)
- D-Sub ITT Cannon DSUB 8H8 M PCB B/L G50
- 晶体管(BJT) - 单路 Infineon Technologies TO-261-4,TO-261AA TRANSISTOR PNP AF 20V SOT-223
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity CONN HSG RCPT FLANGE 100POS PIN
- D-Sub ITT Cannon DSUB 50 M PCB G30 T
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 4POS FLANGE W/PINS
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 47 OHM 1W 2% AXIAL
- 晶体 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,扁平引线(3 引线) CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 100-TQFP IC DSC 16BIT 128KB FLASH 100TQFP
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 100POS FLANGE W/SKT
- 通孔电阻器 Vishay Dale 轴向 RES 4.3K OHM 1W 5% AXIAL
- 连接器,互连器件 TE Connectivity CONN RCPT 4POS FLANGE W/SKT
- D-Sub ITT Cannon, LLC CONN DSUB PLUG 50POS STR PCB
- 晶体 Citizen Finetech Miyota 4-SMD,扁平引线(3 引线) CRYSTAL 32.768KHZ 12.5PF SMD
- 嵌入式 - 微控制器, Microchip Technology 28-DIP(0.300",7.62mm) IC DSC 16BIT 128KB FLASH 28SDIP
- 晶体管(BJT) - 单路 Diodes Inc TO-261-4,TO-261AA TRANS PNP 45V 1A 2W SOT223