BC857AW,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:剪切带 (CT)
BC857AW,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
BC857AW,115详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:Digi-Reel®
BC857AW,135详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 100MA SOT323
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):600mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SC-70
- 包装:带卷 (TR)
BC857AW-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO PNP 200MW 45V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:带卷 (TR)
BC857AW-7-F详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS BIPO PNP 200MW 45V SC70-3
- 系列:-
- 制造商:Diodes Inc
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):100mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):650mV @ 5mA,100mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:125 @ 2mA,5V
- 功率_最大:200mW
- 频率_转换:200MHz
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:SC-70,SOT-323
- 供应商设备封装:SOT-323
- 包装:剪切带 (CT)
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 4.7PF 25V NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1000PF 100V 20% X7R 0805
- 晶体管(BJT) - 单路 Micro Commercial Co TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP 100MA 45V SOT-23
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1800PF 50V 2% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 叠接式,SMD J 引线 CAP CER 10UF 25V 10% X7R 2220
- 逻辑 - 栅极和逆变器 STMicroelectronics 14-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) IC HEX SCHMITT INVERTER 14-TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 4.7PF 16V NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1000PF 16V 20% X7R 0805
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.082UF 630VDC RADIAL
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1800PF 50V 5% NP0 0805
- 陶瓷 Kemet 叠接式,SMD J 引线 CAP CER 10UF 25V 10% X7R 2220
- 逻辑 - 信号开关,多路复用器,解码器 Fairchild Semiconductor 16-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) MULTIPLEXER QUAD 2IN 16TSSOP
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 4.7PF 100V NP0 0603
- 陶瓷 Kemet 0805(2012 公制) CAP CER 1000PF 50V 20% NP0 0805