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BC856BLT1详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP LP 100MA 65V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：剪切带 (CT)

BC856BLT1G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS PNP LP 100MA 65V SOT23; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：65V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：220 @ 2mA，5V; 功率_最大：225mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）; 包装：Digi-Reel®

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AUIRF7304QTR
其它 International Rectifier MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
BC856BDW1T1G
晶体管(BJT) - 阵列 ON Semiconductor 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS PNP DUAL 65V 100MA SOT-363
B58621K1110A054
压力 EPCOS Inc 不锈钢 PRES SENSOR GAUGE 100MBAR PCB
B32621A3222J189
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 2.2NF 5% 250V
B43858A4335M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 3.3UF 350V
BA-3ST
快动，限位，拉杆 Honeywell Sensing and Control SWTCH PLUNGR SPDT 25A SCREW TERM
6374656-5
光纤 TE Connectivity C/A LC TO LC MM 2.0MM 5M
AUIRF7309QTR
其它 International Rectifier MOSFET P/N-CH 30V 4.7A 8SOIC
65039-024LF
矩形 - 外壳 FCI CONN HOUSING 13PS .100 SGL
B32621A3223K
薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.0220UF 10% 250
BA4510F-E2
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC OPAMP DUAL 3.5V SOP-8
B43858A5335M
电容器 EPCOS Inc AL-ELKO SINGLE END 3.3UF 450V
6374658-3
光纤 TE Connectivity C/A LC TO LC MM 2.0MM 3M
65039-033LF
矩形 - 外壳 FCI CONN HOUSING 4POS .100 SGL
AUIRF7319Q
其它 International Rectifier MOSFET N/P-CH 30V 6.5A 8SOIC

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