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BC847BS详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：210mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：剪切带 (CT)

BC847BS详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：210mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：剪切带 (CT)

BC847BS详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：210mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：Digi-Reel®

BC847BS详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SC70-6; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：650mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：210mW; 频率_转换：-; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：SC-70-6; 包装：带卷 (TR)

BC847BS,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANS NPN GP 100MA 45V 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：剪切带 (CT)

BC847BS,115详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 阵列; 描述：TRANS NPN GP 100MA 45V 6TSSOP; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：2 NPN（双）; 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：300mV @ 5mA，100mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：200 @ 2mA，5V; 功率_最大：300mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供应商设备封装：6-TSSOP; 包装：Digi-Reel®

C200H-COV03
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 1812（4532 公制） COVER I/O TERMINAL 19POS 10/PKG
C0805C474K5RACAUTO
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 0805
BC847BPN,165
晶体管(BJT) - 阵列 NXP Semiconductors 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS NPN/PNP 45V 100MA 6TSSOP
C0805C101K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 50V 10% X7R 0805
C0603C0G1H080D
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 8PF 50V NP0 0201
C1608C0G1H101F
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 1% NP0 0603
C1812C152K2GACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1500PF 200V 10% NP0 1812
BD25KA5FP-E2
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 IC REG LDO 2.5V .5A TO-252-3
C0805C474K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 0805
C0805C101KBRACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 100PF 630V 10% X7R 0805
C1608C0G1H101F
陶瓷 TDK Corporation 0603（1608 公制） CAP CER 100PF 50V 1% NP0 0603
C0603C0G1H090D
陶瓷 TDK Corporation 0201（0603 公制） CAP CER 9PF 50V NP0 0201
BD26IC0WHFV-GTR
PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor 6-HVSOF IC REG LDO 2.6V 1A 8HTSOP-J
C1812C152KDRACTU
陶瓷 Kemet 1812（4532 公制） CAP CER 1500PF 1KV 10% X7R 1812
C0805C474K5RACTU
陶瓷 Kemet 0805（2012 公制） CAP CER 0.47UF 50V 10% X7R 0805

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