BC847,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
BC847,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BC847,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：Digi-Reel®
BC847,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BC847,235详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：带卷 (TR)
BC847A,215详细规格
- 类别：晶体管(BJT) - 单路
- 描述：TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- 系列：-
- 制造商：NXP Semiconductors
- 晶体管类型：NPN
- 电流_集电极333Ic444（最大）：100mA
- 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：400mV @ 5mA，100mA
- 电流_集电极截止（最大）：-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：110 @ 2mA，5V
- 功率_最大：250mW
- 频率_转换：100MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商设备封装：TO-236AB
- 包装：剪切带 (CT)
- 单二极管/整流器 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SW EPITAXIAL MED-SPD SOT23
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 390NH .47A WW 1008
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 TRANSISTOR NPN 45V 100MA SOT23
- D-Sub，D 形 - 后壳，防护罩 TE Connectivity TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 CONN BACKSHELL DB25 METAL PLATED
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 4.7PF 50V NP0 1206
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE VREG 13V 1.3W DO-41
- 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies SC-76，SOD-323 DIODE VARACTOR 30V SOD-323
- 逻辑 - 缓冲器，驱动器，接收器，收发器 NXP Semiconductors 56-TFSOP（0.240"，6.10mm 宽） IC 16BIT REGISTERED TXRX 56TSSOP
- 固定式 Wurth Electronics Inc 1008（2520 公制） INDUCTOR 1000NH .12A WW 1008
- 陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 510PF 100V 1% NP0 1206
- 单二极管/齐纳 NXP Semiconductors DO-204AL，DO-41，轴向 DIODE VREG 43V 1.3W DO-41
- D-Sub TE Connectivity DO-204AL，DO-41，轴向 CONN D-SUB RCPT STR 25POS PCB AU
- 可变电容二极管（可变电容二极管，变容二极管） Infineon Technologies TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE VAR CAP 18V 50MA SOT-23
- 逻辑 - 栅极和逆变器 Texas Instruments 48-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC INVERTER QUAD 4-INPUT 48TVSOP
- 单二极管/整流器 ON Semiconductor TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 DIODE SWITCH 200MA 75V SOT23
0755-23609091 
0755-82575207 
13410941925 
0755-82533156 
0755-83242658 
13528893675 
0755-83244680 
0755-82561519 
13510131896 
13480301972 
755-83258123 
0755-88917652 
0755-82561519 
0755-82578309 
