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BC807-16,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：80MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：剪切带 (CT)

BC807-16,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：80MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：Digi-Reel®

BC807-16,215详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：80MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC807-16,235详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR PNP 500MA 45V SOT23; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：250mW; 频率_转换：80MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：TO-236AB; 包装：带卷 (TR)

BC807-16-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR 45V PNP SMD SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：剪切带 (CT)

BC807-16-7详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR 45V PNP SMD SOT23-3; 系列：-; 制造商：Diodes Inc; 晶体管类型：PNP; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：310mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：表面贴装; 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3; 供应商设备封装：SOT-23-3; 包装：带卷 (TR)

C0402C153M4RACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 0.015UF 16V X7R 0402
C1210W104KCRACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 500V 10% X7R 1210
BC68PA,115
其它 NXP Semiconductors 1210（3225 公制） TRANSISTOR NPN 20V 2A SOT1061
BF014G0332JDB
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 3300PF 250VDC RADIAL
BK/HTB-38I
保险丝座 Cooper Bussmann 径向 FUSEHOLDER SLOT 1/4" RA .250"QC
BCR 135S H6827
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式 Infineon Technologies 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT363
BA-1010
同轴，RF CUI Inc 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 CONN F BULKHEAD RECEPT W/NUT
BD6230F-E2
PMIC - 电机和风扇控制器，驱动器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC H-BRIDGE DVR 36V 1CH .5A SOP8
C0402C159C5GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1.5PF 50V NP0 0402
BF014G0333K--
薄膜 AVX Corporation 径向 CAP FILM 0.033UF 250VDC RADIAL
BK/HTB-38I-R
保险丝座 Cooper Bussmann 径向 FUSEHOLDER SLOT 1/4" RA .250"QC
BA10324A
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Rohm Semiconductor 14-DIP（0.300"，7.62mm） IC OPAMP QUAD 32V LOW PWR DIP14
BCR 135W H6327
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Infineon Technologies SC-70，SOT-323 TRANS NPN DGTL 50V 100MA SOT323
BD6231F-E2
PMIC - 电机和风扇控制器，驱动器 Rohm Semiconductor 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） IC H-BRIDGE DRIVER 1CH 1A SOP8
C0402C159C8GACTU
陶瓷 Kemet 0402（1005 公制） CAP CER 1.5PF 10V NP0 0402

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