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BC337详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC337,112详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：管件

BC337,116详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带卷 (TR)

BC337,126详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANSISTOR NPN 500MA 45V TO-92; 系列：-; 制造商：NXP Semiconductors; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：500mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：-; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：带盒（TB）

BC337_J35Z详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN EPTXL 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：100MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

BC337-016G详细规格: 类别：晶体管(BJT) - 单路; 描述：TRANS NPN GP 45V 800MA TO-92; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶体管类型：NPN; 电流_集电极333Ic444（最大）：800mA; 电压_集电极发射极击穿（最大）：45V; IbeeeIc条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 50mA，500mA; 电流_集电极截止（最大）：100nA; 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444：100 @ 100mA，1V; 功率_最大：625mW; 频率_转换：210MHz; 安装类型：通孔; 封装/外壳：TO-226-3、TO-92-3 标准主体; 供应商设备封装：TO-92-3; 包装：散装

CHPHT0805K1002FGT
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Sfernice 0805（2012 公制） RES 10K OHM 20MW 1% 0805
DCA1-5CN10F1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE 10M F CONNECTOR ONE END
BC327TF
晶体管(BJT) - 单路 Fairchild Semiconductor TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线 TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
CJ2M-MD211
配件 Omron Electronics Inc-IA Div 2 AXISPULSE-16 IO NPN-CJ2MONLY
DS32KHZ/WBGA/T&R
振荡器 Maxim Integrated 36-BGA IC TCXO 32.768KHZ COM 36-BGA
CKG57NX7S1C107M
陶瓷 TDK Corporation 2220（5650 公制） CAP CER 100UF 16V 20% X7S 2220
CY7C1268XV18-633BZXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM DDRII 36MBIT 165FBGA
CHPHT0805K10R0FGT
芯片电阻 - 表面安装 Vishay Sfernice 0805（2012 公制） RES 10 OHM 20MW 1% 0805
CY29FCT520BTSOCTE4
逻辑 - 移位寄存器 Texas Instruments 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 8BIT PIPELINE REG 24-SOIC
CJS-1200TA
DIP Copal Electronics Inc SWITCH SLIDE SPDT SMD J-LEAD
DS33X11+
接口 - 专用 Maxim Integrated 144-LFBGA，CSPBGA IC MAPPING ETHERNET 144CSBGA
CKG57NX7S1E476M
陶瓷 TDK Corporation 2220（5650 公制） CAP CER 47UF 25V 20% X7S 2220
CY7C12701KV18-400BZXC
存储器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 36MBIT 400MHZ 165FPBGA
CHS-01TB1
DIP Copal Electronics Inc 0805（2012 公制） SMD SLIDE-SWITCH 1 POS
CY29FCT520CTSOCT
逻辑 - 移位寄存器 Texas Instruments 24-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） IC 8BIT PIPELINE REG 24-SOIC

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