BC327详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP GP 800MA 45V TO92
- 系列:-
- 制造商:ON Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:260MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC327详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
BC327,116详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带卷 (TR)
BC327,126详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:带盒(TB)
BC327,412详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):500mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):-
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:80MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:管件
BC327_J35Z详细规格
- 类别:晶体管(BJT) - 单路
- 描述:TRANS PNP EPTXL 45V 800MA TO-92
- 系列:-
- 制造商:Fairchild Semiconductor
- 晶体管类型:PNP
- 电流_集电极333Ic444(最大):800mA
- 电压_集电极发射极击穿(最大):45V
- IbeeeIc条件下的Vce饱和度(最大):700mV @ 50mA,500mA
- 电流_集电极截止(最大):100nA
- 在某IceeeVce时的最小直流电流增益333hFE444:100 @ 100mA,1V
- 功率_最大:625mW
- 频率_转换:100MHz
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
- 供应商设备封装:TO-92-3
- 包装:散装
- 晶体管(BJT) - 单路 NXP Semiconductors TO-226-3、TO-92-3 标准主体 TRANSISTOR PNP 45V 500MA TO-92
- PMIC - 稳压器 - 线性 Rohm Semiconductor TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD IC REG LDO ADJ 1A TO252-5
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 20UF 300VDC RADIAL
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 82UF 20V 20% SMD
- 陶瓷 AVX Corporation 0606(1616 公制) CAP CER 1.2PF 150V 0606
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div 3G3_X BRAKING RESISTOR
- 二极管,整流器 - 阵列 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SW HS CC 80V 200MA SOT-23
- 连接器,互连器件 TE Connectivity TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 CONN RCPT 39POS FLANGE W/PINS
- 晶体管(BJT) - 单路 ON Semiconductor TO-225AA,TO-126-3 TRANS NPN 60V 4A BIPOLAR TO-225
- 陶瓷 AVX Corporation 0606(1616 公制) CAP CER 1.2PF 150V 0606
- 电容器 United Chemi-Con 径向,Can - SMD CAP ALUM 1200UF 4V 20% SMD
- 圆形 - 外壳 TE Connectivity 径向,Can - SMD CONN HSG RCPT FLANGE 39POS PIN
- 二极管,整流器 - 阵列 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 DIODE SW HS CC 80V 200MA SOT-23
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 3G3_X BRAKING RESISTOR
- 薄膜 EPCOS Inc 径向 CAP FILM 30UF 300VDC RADIAL