BAT721A,215详细规格
- 类别:二极管,整流器 - 阵列
- 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):550mV @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:15µA @ 30V
- 电流_平均整流333Io444(每个二极管):200mA(DC)
- 电压_333Vr444(最大):40V
- 反向恢复时间333trr444:-
- 二极管类型:肖特基
- 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 二极管配置:1 对共阳极
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BAT721A,215详细规格
- 类别:二极管,整流器 - 阵列
- 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):550mV @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:15µA @ 30V
- 电流_平均整流333Io444(每个二极管):200mA(DC)
- 电压_333Vr444(最大):40V
- 反向恢复时间333trr444:-
- 二极管类型:肖特基
- 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 二极管配置:1 对共阳极
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:剪切带 (CT)
BAT721A,215详细规格
- 类别:二极管,整流器 - 阵列
- 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):550mV @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:15µA @ 30V
- 电流_平均整流333Io444(每个二极管):200mA(DC)
- 电压_333Vr444(最大):40V
- 反向恢复时间333trr444:-
- 二极管类型:肖特基
- 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 二极管配置:1 对共阳极
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
BAT721A,215详细规格
- 类别:二极管,整流器 - 阵列
- 描述:DIODE SCHOTTKY 40V 200MA SOT-23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):550mV @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:15µA @ 30V
- 电流_平均整流333Io444(每个二极管):200mA(DC)
- 电压_333Vr444(最大):40V
- 反向恢复时间333trr444:-
- 二极管类型:肖特基
- 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 二极管配置:1 对共阳极
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:Digi-Reel®
BAT721A,235详细规格
- 类别:二极管,整流器 - 阵列
- 描述:DIODE SCHTK DUAL 40V 200MA SOT23
- 系列:-
- 制造商:NXP Semiconductors
- 电压_在If时为正向333Vf444(最大):550mV @ 200mA
- 电流_在Vr时反向漏电:15µA @ 30V
- 电流_平均整流333Io444(每个二极管):200mA(DC)
- 电压_333Vr444(最大):40V
- 反向恢复时间333trr444:-
- 二极管类型:肖特基
- 速度:小信号 =< 200mA(Io),任意速度
- 二极管配置:1 对共阳极
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 供应商设备封装:TO-236AB
- 包装:带卷 (TR)
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.068UF 250VDC RADIAL
- 单二极管/整流器 STMicroelectronics SOD-123 DIODE SCHOTTKY 40V SOD-123
- 配件 Crouzet USA SOD-123 54E2 ACT SW-83132/33/34 R=14.1
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Infineon Technologies TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 TRANSISTOR PNP DGTL AF SOT-23
- 薄膜 EPCOS Inc 径向,Can PEC MKP DC 700 UF 880 V
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 10V 10% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.33UF 5% 63V
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 10000PF 250VDC RADIAL
- 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 Infineon Technologies SOT-723 TRANSISTOR PNP DGTL AF TSFP-3
- 薄膜 EPCOS Inc 径向,Can MKV CAPACITOR 10UF 640V
- 陶瓷 Kemet 0603(1608 公制) CAP CER 10000PF 25V 20% X7R 0603
- 陶瓷 Kemet 0402(1005 公制) CAP CER 4.7PF 50V NP0 0402
- 薄膜 EPCOS Inc FILM CAP 0.33UF 10% 63V
- 薄膜 Vishay BC Components 径向 CAP FILM 0.011UF 250VDC RADIAL