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ATTINY461-15MAZ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：MCU AVR 4KB FLASH 15MHZ 20-QFN; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：16MHz; 连接性：USI; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：16; 程序存储容量：4KB（2K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：256 x 8; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：A/D 11x10b; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：20-WFQFN 裸露焊盘; 包装：带卷 (TR)

ATTINY461-15MAZ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：MCU AVR 4KB FLASH 15MHZ 20-QFN; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：16MHz; 连接性：USI; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：16; 程序存储容量：4KB（2K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：256 x 8; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：A/D 11x10b; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：20-WFQFN 裸露焊盘; 包装：剪切带 (CT)

ATTINY461-15MZ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：MCU AVR 4K FLASH 15MHZ 32-QFN; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：16MHz; 连接性：USI; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：16; 程序存储容量：4KB（2K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：256 x 8; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：A/D 11x10b; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘; 包装：剪切带 (CT)

ATTINY461-15MZ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：MCU AVR 4K FLASH 15MHZ 32-QFN; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：16MHz; 连接性：USI; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：16; 程序存储容量：4KB（2K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：256 x 8; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：A/D 11x10b; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：32-VFQFN 裸露焊盘; 包装：带卷 (TR)

ATTINY461-15SZ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：MCU AVR 4K FLASH 15MHZ 20-SOIC; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：16MHz; 连接性：USI; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：16; 程序存储容量：4KB（2K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：256 x 8; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：A/D 11x10b; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）; 包装：带卷 (TR)

ATTINY461-15SZ详细规格: 类别：嵌入式 - 微控制器，; 描述：MCU AVR 4K FLASH 15MHZ 20-SOIC; 系列：AVR® ATtiny; 制造商：Atmel; 核心处理器：AVR; 核心尺寸：8-位; 速度：16MHz; 连接性：USI; 外设：欠压检测/复位，POR，PWM，WDT; I/O数：16; 程序存储容量：4KB（2K x 16）; 程序存储器类型：闪存; EEPROM容量：256 x 8; RAM容量：256 x 8; 电压_电源333Vcc/Vdd444：2.7 V ~ 5.5 V; 数据转换器：A/D 11x10b; 振荡器类型：内部; 工作温度：-40°C ~ 125°C; 封装/外壳：20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）; 包装：剪切带 (CT)

BQ2060SSE207TREPG4
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC SBS-COMPL GAS GAUGE 28-QSOP
B88069X4450C101
气体放电管 (GDT) EPCOS Inc V12-A600X
C1206X562K2RACTU
陶瓷 Kemet 1206（3216 公制） CAP CER 5600PF 200V 10% X7R 1206
ATS184SM-1
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ SERIES SMD
BS6T
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) HC49/US 9V SNAP T STYLE 6 WIRE LEADS
C1210X225K3NAC7800
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 2.2UF 25V 10% X8L 1210
C1210C104J2RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 200V 5% X7R 1210
BQ2060SS-E411TRG4
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 28-SSOP（0.154"，3.90mm 宽） IC SBS-COMPL GAS GAUGE 28-QSOP
AX250-2PQG208
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Microsemi SoC 208-BFQFP IC FPGA AXCELERATOR 250K 208QFP
BS6T-HD
电池座，夹，触点 MPD (Memory Protection Devices) 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） 9V HD SNAP T STYLE 6 WIRE LEADS
ATS184SM-1
晶体 CTS-Frequency Controls HC49/US CRYSTAL 18.432 MHZ SERIES SMD
C1210X332J5GACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 3300PF 50V 5% NP0 1210
BQ2083DBTR-V1P3
PMIC - 电池管理 Texas Instruments 38-TFSOP（0.173"，4.40mm 宽） IC GAS GAUGE FOR BQ29311 38TSSOP
C1210C104J3RACTU
陶瓷 Kemet 1210（3225 公制） CAP CER 0.1UF 25V 5% X7R 1210
AX250-FG484
嵌入式 - FPGA（现场可编程门阵列） Microsemi SoC 484-BGA IC FPGA AXCELERATOR 250K 484FBGA

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